China domina la investigación en wurtzita memoria y amenaza la ventaja estadounidense en semiconductores.
Claves de la operación
- El avance rompe el límite de durabilidad de la memoria. El material alcanza más de 10.000 millones de ciclos de escritura, la barrera que frenaba su viabilidad comercial.
- La Universidad de Xidian lidera la carrera académica. Su superred de AlScN/AlN confina las vacantes de nitrógeno y evita la degradación del material.
- China recoloca el tablero de la memoria. El país busca reducir su dependencia de SK hynix, Samsung y Micron en chips para inteligencia artificial.
El salto científico que sitúa la memoria ferroeléctrica en el mapa chino
La comunidad científica conoce el potencial de la wurtzita desde hace ocho años. En 2018, el equipo de Simon Fichtner demostró por primera vez la ferroelectricidad en el nitruro de aluminio y escandio (AlScN), un semiconductor con estructura cristalina de wurtzita.
La wurtzita no es un elemento químico, sino una forma cristalina que pueden adoptar varios materiales. Algunos, como el AlScN, muestran ferroelectricidad: mantienen dos estados de polarización eléctrica estables para representar los unos y los ceros de las memorias. Su alta polarización remanente permite, sobre el papel, fabricar memorias no volátiles más pequeñas, rápidas y sin alimentación eléctrica para preservar los datos.
El límite estaba en la degradación. El AlScN pierde fiabilidad después de muchos ciclos de escritura. El equipo de la Universidad de Xidian, con Ruiqing Wang como primer autor, publicó en Science el 10 de septiembre una estructura de AlScN/AlN que supera los 10.000 millones de ciclos de escritura.
La novedad no se limita a una cifra. Los investigadores chinos detectaron que las vacantes de nitrógeno se acumulan y migran hasta degradar el material. Su solución pasa por una superred de AlScN/AlN capaz de confinar esas vacantes y por un protocolo dinámico de recuperación que actúa como un descanso eléctrico programado para la memoria. Otro equipo con Hyunmin Cho al frente ya había superado los 10.000 millones de ciclos en enero de 2026, pero el trabajo de Xidian aporta una vía distinta contra el desgaste.
El cansancio del material se gestiona, no se elimina.
China no busca un laboratorio de prestigio; busca desengancharse de SK hynix, Samsung y Micron en la era de la inteligencia artificial.
La geopolítica de los semiconductores se decide en los laboratorios
Para China, reducir la dependencia de las memorias HBM (High Bandwidth Memory o memoria de alto ancho de banda) es una prioridad estratégica. Sus centros de datos de inteligencia artificial dependen de SK hynix, Samsung y Micron. La wurtzita ofrece una base tecnológica alternativa para disputar la próxima carrera de memorias de alto rendimiento.
Eso sí, el avance experimental no implica que la wurtzita vaya a reemplazar a las DRAM o NAND a corto plazo. Quedan por resolver la fabricación a gran escala, la densidad, la velocidad, y el consumo. El hito elimina una restricción práctica, no todas.
La distancia entre el laboratorio y la fábrica sigue siendo el verdadero filtro.
Por qué la wurtzita cuestiona el mapa mundial de la memoria
España y Europa observan este movimiento desde una posición incómoda. Ninguna empresa del IBEX 35 fabrica memorias ni mantiene una división relevante en semiconductores de vanguardia. La Unión Europea lleva años intentando construir capacidad propia con la Chips Act, pero el centro de gravedad de la memoria sigue en Asia y Estados Unidos.
Hay un matiz crítico. Publicar en Science y demostrar una superred en laboratorio no garantiza capacidad fabril ni acceso a los equipos de litografía avanzada. La ventaja china es real en ciencia, pero no automática en producción.
Pekín tendrá que resolver los mismos cuellos de botella que hoy frenan a sus fábricas en otros nodos lógicos. La economía del sector se mide en cientos de millones de dólares de inversión por planta. La próxima señal interesante no saldrá solo de otro artículo científico, sino de las decisiones de inversión de los fabricantes de equipos y de los grandes integradores de memoria de cara a 2027.
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